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Integrationsgerechte Schaltungstechniken I

Modulbezeichnung:
Bezeichnung des Moduls innerhalb des Studiengangs. Sie soll eine präzise und verständliche Überschrift des Modulinhalts darstellen.
Integrationsgerechte Schaltungstechniken I
Modulbezeichnung (engl.): Integration-Compliant Circuit Engineering I
Studiengang:
Studiengang mit Beginn der Gültigkeit der betreffenden ASPO-Anlage/Studienordnung des Studiengangs, in dem dieses Modul zum Studienprogramm gehört (=Start der ersten Erstsemester-Kohorte, die nach dieser Ordnung studiert).
Elektrotechnik, Bachelor, ASPO 01.10.2005
Code: E521
SWS/Lehrform:
Die Anzahl der Semesterwochenstunden (SWS) wird als Zusammensetzung von Vorlesungsstunden (V), Übungsstunden (U), Praktikumsstunden (P) oder Projektarbeitsstunden (PA) angegeben. Beispielsweise besteht eine Veranstaltung der Form 2V+2U aus 2 Vorlesungsstunden und 2 Übungsstunden pro Woche.
4V (4 Semesterwochenstunden)
ECTS-Punkte:
Die Anzahl der Punkte nach ECTS (Leistungspunkte, Kreditpunkte), die dem Studierenden bei erfolgreicher Ableistung des Moduls gutgeschrieben werden. Die ECTS-Punkte entscheiden über die Gewichtung des Fachs bei der Berechnung der Durchschnittsnote im Abschlusszeugnis. Jedem ECTS-Punkt entsprechen 30 studentische Arbeitsstunden (Anwesenheit, Vor- und Nachbereitung, Prüfungsvorbereitung, ggfs. Zeit zur Bearbeitung eines Projekts), verteilt über die gesamte Zeit des Semesters (26 Wochen).
4
Studiensemester: 5
Pflichtfach: ja
Arbeitssprache:
Deutsch
Prüfungsart:
Klausur nach dem 6. Semester

[letzte Änderung 13.12.2009]
Verwendbarkeit / Zuordnung zum Curriculum:
Alle Studienprogramme, die das Modul enthalten mit Jahresangabe der entsprechenden Studienordnung / ASPO-Anlage.

E521 Elektrotechnik, Bachelor, ASPO 01.10.2005 , 5. Semester, Pflichtfach
Arbeitsaufwand:
Der Arbeitsaufwand des Studierenden, der für das erfolgreiche Absolvieren eines Moduls notwendig ist, ergibt sich aus den ECTS-Punkten. Jeder ECTS-Punkt steht in der Regel für 30 Arbeitsstunden. Die Arbeitsstunden umfassen Präsenzzeit (in den Vorlesungswochen), Vor- und Nachbereitung der Vorlesung, ggfs. Abfassung einer Projektarbeit und die Vorbereitung auf die Prüfung.

Die ECTS beziehen sich auf die gesamte formale Semesterdauer (01.04.-30.09. im Sommersemester, 01.10.-31.03. im Wintersemester).
Die Präsenzzeit dieses Moduls umfasst bei 15 Semesterwochen 60 Veranstaltungsstunden (= 45 Zeitstunden). Der Gesamtumfang des Moduls beträgt bei 4 Creditpoints 120 Stunden (30 Std/ECTS). Daher stehen für die Vor- und Nachbereitung der Veranstaltung zusammen mit der Prüfungsvorbereitung 75 Stunden zur Verfügung.
Empfohlene Voraussetzungen (Module):
E104 Grundlagen der Elektrotechnik I
E203 Grundlagen der Elektrotechnik II
E303 Elektronik I
E402 Elektronik II


[letzte Änderung 12.03.2010]
Als Vorkenntnis empfohlen für Module:
E616 Integrationsgerechte Schaltungstechniken II


[letzte Änderung 12.03.2010]
Modulverantwortung:
Prof. Dr. Albrecht Kunz
Dozent/innen:
Prof. Dr. Albrecht Kunz


[letzte Änderung 12.03.2010]
Lernziele:
Die Studenten erlangen ein breit angelegtes Wissen über die aktuellen verwendeten mikroelektronischen Produktionsverfahren. Dieses Wissen soll es ihnen ermöglichen, die Grenzen und Möglichkeiten von integrierten Halbleiterbauelementen und den dazugehörigen Schaltkreisfamilien einschätzen zu können.
Die Studenten verfügen über detailliertes Wissen über die gebräuchlichen Schaltkreisfamilien. Sie können die Unterschiede zwischen den unterschiedlichen Schaltkreisfamilien verstehen und unter Zuhilfenahme von numerisch erzeugten Simulationsergebnissen hinsichtlich möglicher Anwendungsmöglichkeiten bewerten.
Die Studenten sind im späteren Berufleben befähigt, bei gegebenem Anforderungsprofil die Auswahl geeigneter Bauelemente für künftige Entwicklungs- und Forschungsaktivitäten vorzunehmen.

[letzte Änderung 13.12.2009]
Inhalt:
1.Technologische Prozesse:
  1.1.Trends in der Mikroelektronik,
  1.2.Materialien,
  1.3.Waferherstellung,
  1.4.Oxidation,  Lithografie, Ätztechniken, Dotiertechniken,
  1.5.Depositionsverfahren,
  1.6.MOS- und Bipolar-Technologien zur Schaltungsintegration,
  1.7.Integrationsbeispiele.
2.Halbleiter-Schaltkreisfamilien:
  2.1.Dioden-Transistor-Logik
  2.2.Transistor-Transistor-Logik,
  2.3.Emittergekoppelte Logik,
  2.4.Integrierte  Injektionslogik,
  2.5.NMOS- Schaltungen,

[letzte Änderung 13.12.2009]
Weitere Lehrmethoden und Medien:
Folien, PC, Beamer

[letzte Änderung 13.12.2009]
Literatur:
Baker, R. Jacob: CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation, IEEE Press Series on Microelectronic Systems,
Uyemura, John P.: CMOS Logic Circuit Design, Kluwer Academic Publishers,
DeMassa, Thomas A.: Digital Integrated Circuits, John Wiley & Sons,
Hilleringmann, U.: Silizium Halbleitertechnologie, Teubner-Verlag,
Wupper, H.: Elektronische Schaltungen, Band 1 und 2, Springer-Verlag,
Rein, H. – M.: Integrierte Bipolarschaltungen, Springer-Verlag,
Post, H. – U.: Entwurf und Technologie hochintegrierter Schaltungen, Teubner-Verlag,
Paul, Reinhold: Einführung in die Mikroelektronik, Hüthig-Verlag,
Hoppe, Bernhard: Mikroelektronik, Band 1 und 2, Vogel-Verlag.

[letzte Änderung 13.12.2009]
 
[Fri Apr 19 14:29:33 CEST 2024, CKEY=eisi, BKEY=e, CID=E521, LANGUAGE=de, DATE=19.04.2024]